FF1200R12KE3 datasheet
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>> FF1200R12KE3 IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
FF1200R12KE3
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述
IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module
FF1200R12KE3 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
5 KW
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
IHM 130X140-10
封装
相关资料
属性
链接
代理商
FF1200R12KE3
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FF1200R17KP4_B2
FF12-31A-R12BN-D3
FF12-60A-R12BN-D3
供应商
公司名
电话
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市海天鸿电子科技有限公司
0755-82552857-809
彭小姐、刘先生、李小姐
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市创芯弘科技有限公司
13410000176
(2014年前十佳IC供应商)
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
深圳市诚达吉电子有限公司
15013829553
莫小姐
深圳市科视通电子科技有限公司
15807673644
刘先生 陈小姐 黄小姐
江苏名佑芯电子科技有限公司
17305201127
任祥建
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
FF1200R12KE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
2
2161.618
4323.236
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